HFA30PA60C原装，MOS管，IGBT专卖

种类为 结型(JFET)， 沟道类型是 P沟道， 导电方式为 耗尽型， 用途是 MOS-HBM/半桥组件， 封装外形为 CHIP/小型片状， 材料是 GE-N-FET锗N沟道， 开启电压为 600（V）， 夹断电压是 1200（V）， 极间电容为 500（pF）， 低频噪声系数是 100（dB）， Zui大漏极电流为 600（mA）， Zui大耗散功率是 30（mW），

供应原装hfa30pa60c场效应管,原装。
深圳奇彩欣电子长期供应国际整流器(ir)、威世(vishay)、意法半导体(st)、仙童(fsc)等品牌的场效应管（mosfet）、igbt。欢迎

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本产品的 品牌为 IR/国际整流器， 型号是 HFA30PA60C，