大功率LED外延片 led外延

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2′英寸gan外延片（大功率专用）供货标准

一. 外延片物理尺寸

1. 直径：50.8±0.25mm（2′φ）

2. 大切边长度：16±1.0mm

3. 厚度：430±25um 16±1.0mm

二. 外延片物理结构 50.8±0.25mm

p-type layer	p-gan	total thickness： 430 ± 25um etching depth: 11000~13000å
active layer	mqw
n-type layer	n-gan
substrate	pss （211.3～1.5）
warp	<30μm

三. 外延片光电特性标准（根据样品测试决定）

检验项目	检测条件	备注
平均电压	≤3.6v	1、芯片尺寸为45mil×45mil； 2、esd测试为人体模式2000v； 3、外延表面为非粗化处理； 4、亮度标准为ito制程下cow亮度； 5、波长范围可以根据合同要求调整； 6、亮度以实际测试为准；
圆片中心波长（nm）＠20ma	蓝光外延片：450nm-460nm 波长集中度：90%比例芯片集中在7.5nm
蓝光亮度（mw）＠350ma，460nm	亮度260mw以上，led成品110lm左右。
良率（esd2000v）	>80%
漏电（ua）＠-5v）	≤1
综合良率	>80%

四. 外延片表面检测标准

五. 包装及运输

1. 每盒装25片，每箱装4-5盒；

2. 包装附带相应的产品出厂检测结果（外观，结构，表面，pl和同批次样品光电特性）；

3. 外延片上有激光识别编码。

4. 快递至客户国内指定地点。

2′英寸gan外延片（大功率专用）供货标准

一. 外延片物理尺寸

1. 直径：50.8±0.25mm（2′φ）

2. 大切边长度：16±1.0mm

p-type layer	p-gan	total thickness： 430 ± 25um etching depth: 11000~13000å
active layer	mqw
n-type layer	n-gan
substrate	pss （211.3～1.5）
warp	<30μm

三. 外延片光电特性标准（根据样品测试决定）

检验项目	检测条件	备注
平均电压	≤3.6v	1、芯片尺寸为45mil×45mil； 2、esd测试为人体模式2000v； 3、外延表面为非粗化处理； 4、亮度标准为ito制程下cow亮度； 5、波长范围可以根据合同要求调整； 6、亮度以实际测试为准；
圆片中心波长（nm）＠20ma	蓝光外延片：450nm-460nm 波长集中度：90%比例芯片集中在7.5nm
蓝光亮度（mw）＠350ma，460nm	亮度260mw以上，led成品110lm左右。
良率（esd2000v）	>80%
漏电（ua）＠-5v）	≤1
综合良率	>80%

四. 外延片表面检测标准

五. 包装及运输

1. 每盒装25片，每箱装4-5盒；

2. 包装附带相应的产品出厂检测结果（外观，结构，表面，pl和同批次样品光电特性）；

3. 外延片上有激光识别编码。

4. 快递至客户国内指定地点。

本产品的种类是LED外延，型号为大功率LED外延

所属分类：中国电子元件网 / LED外延
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上海森盈电子科技有限公司，成立于2009年12月14日，是一家生产经营LED外延片、LED芯片、LED封装及相关应用产品的高新技术企业。公司总部设在上海，公司位于深上海市浦东新区浦三路2 ...

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