cvd(g)系列真空高温管式炉专门设计用于高温cvd工艺,如zno纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(mlcc)气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温,国产优质硅钼棒加热,优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空,气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制,设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。
一、 技术指标:
设 备 型 号 |
nt-cvd(g)-08/50/1 |
温区Zui高温度 |
1650℃;(Zui长恒温时间:≥10小时);常用温度:1600℃ (Zui长恒温时间:≥100小时) |
加热有效容积 |
φ72(内经)×500mm;恒温区尺寸:φ72(内经)×250mm |
炉管实际尺寸 |
φ80(外径)×1400mm (国产优质刚玉管) |
炉 膛 材 料 |
氧化铝纤维制品 |
控制温区点数 |
1个,1支b分度热偶 |
设备温场温差 |
±1℃ ,日本岛电进口40段程序控制仪表(1只) |
加 热 元 件 |
优质硅钼棒 |
Zui大加热功率 |
12kw |
保 温 功 率 |
5kw |
Zui大升温速率 |
3℃∽10℃/min; |
Zui大降温速率 |
3℃∽7℃/min |
温度均匀性 |
±3℃(有效范围:φ72×250mm) |
气路配件材料 |
气路配件材料,端头不锈钢发兰密封, 一路气体采用浮子流量计控制, 所有管道和阀门采用不锈钢元件 |
极 限 真 空 |
≤10pa(常温) ,一级机械泵(配电磁阀)。 |
压升率 |
≤5pa/h |
"供应泡沫碳CVD试验炉"的是否提供加工定制为是,品牌是诺天科技,型号为NT/KGPS-XXXXX,Zui大电压是380(V),额定温度为1650(℃),主要用途是用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结等等