4“区熔单晶硅硅棒

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种类	元素半导体	特性	高纯单晶硅
用途	用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件

Zui新研发出依托悬浮区熔技术的区熔单晶硅，高纯含量。

区熔炉fz-30晶体生长设备设计生长直径达4”，长度达2000mm的单晶硅。

区熔炉的主要规格：

上、下轴提拉速度 0~30毫米/分

上、下轴转速 0~30转/分

上行程 2000毫米

下行程 2600毫米

发生器频率 2.5mhz

发生器功率120kw

发生器功率控制通过可控硅整流器控制 0~

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