品牌 | TOS日本东芝 | 型号 | TK80E08 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
开启电压 | 3.5(V) | 夹断电压 | 80(V) |
跨导 | 25(μS) | 极间电容 | 20(pF) |
低频噪声系数 | 8(dB) | Zui大漏极电流 | 1(mA) |
Zui大耗散功率 | 24000(mW) |
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