抛光后CMP清洗台

抛光后CMP清洗台
1、制程应用：抛光后制程（单面、双面）；
2、清洗制程；
3、控制模式：手动控制模式、自动控制模式；
4、适用对象：蓝宝石衬底晶片
4.1衬底晶片规格：2 inch，25 Pcs/cassette；
                 8cassette/ Batch  Or  4 inch，25Pcs/cassette；
                 4 cassette/ Batch Or 6 inch，25 Pcs/cassette；
                 2cassette/ Batch ；
5、工作原理：是利用酸的化学去污作用和兆声清洗微小颗粒使工件表面的杂质的清除，从而获得表面洁净的工件；
010-52112445\52112455\