本多W-357HP兆声波(高频)清洗机

型号：W-357HP槽式兆声波清洗
振荡方式：用晶体管电路产生自激振荡
Zui大功率：600W
振荡频率：1MHz
振荡器电源：AC200V、220V/6A
振荡器外形尺寸(mm)W×D×H：360×400×128
使用液温范围：20～50℃

硅片清洗中的超声波与兆声波技术
CCID微电子研究部
超声波清洗技术：
超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法,该方法的优点是:清洗效果好,操作简单,对于复杂的器件和容器也能清除,但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。
该法的清理原理如下：在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为20kHz到40kHz左右),液体介质内部会产生疏部和密部,疏部产生近乎真空的空腔泡,当空腔泡消失的瞬间,
其附近便 产生强大的局部压力,使分子内的化学键断裂，因此使硅片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到Zui大，泡内积聚的大量热
能，使温度升高，促进了化学反应的发生。
超声波清洗的效果与超声条件（如温度、压力、超声频率、功率等）有关，而且提高超声波功率往往有利于清洗效果的提高，但对于小于1μm的颗粒的去除效果并不太好。该
法多用于清除硅片表面附着的大块污染和颗粒。
兆声波清洗技术：
兆声波清洗不但保存了超声波清洗的优点，而且克服了它的不足。兆声波清洗机的机理是由高能(850kHz)频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗时，
由换能器发出波长为1μm频率为0.8兆赫的高能声波。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动，Zui大瞬时速度可达到30cm/s。因此，形成不了超声波清洗那样的气泡,而只
能以高速的流体波连续冲击晶片表面,使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。
兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于0.2μm的粒子,起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。目前兆声波清洗方法已成为抛
光片清洗的一种有效方法。   

以下摘自本多清洗机选型样本：
W-357系列（兆声清洗）

超声波超精密清洗

利用被超声波加速的水分子进行清洗 高频清洗
自于加速度的超声波清洗是指被加速的水分子遇到工作，依靠水分子的冲击力使脏物从工件上剥离。频率越高效果越好，特别是对于附着力弱非常微小的脏物。加速度跟频率的2次方成比例，因而频率越高，波长越短，越适合于清洗微小的脏物。

关于脉冲喷射(pulse-jet)清洗机（W-357系列）
随着半导体的集成度的提高，在硅晶片的清洗工序里，除掉亚微米脏物成了提高成品率的重要因素。利用高频超声波进行纯水的精密清洗能够符合这个要求。属于高频清洗的脉冲喷射清洗是在流水里加入了超声波，，Zui适合于清洗晶片，液晶玻璃等。

硅晶片及液晶玻璃的超声波清洗
对于硅晶片及液晶玻璃的超声波清洗，需要满足下面的条件。
1.不会损伤硅晶片
2.除掉亚微米脏物
3.不会发生脏物的再附着
因此，利用不会发生空化，但会产生高强度声压的高频超声波，而且不会发生脏物的再附着的流水式清洗是Zui适合的。

清洗除掉微粒子
由于在流水里加上兆赫的高频超声波，被加速的水粒子能清洗除掉亚微米的粒子。
因为采用高频超声波，不用担心对硅晶片的损伤。
适合于半导体CMP研磨后，硬盘，硅晶片，砷化稼镜面抛光后，光盘原盘研磨后，成膜前的清洗等。

流水式的清净清洗
流水式＝清洗液一直都是清净的。不用担心液体中的脏物的再附着。 容易组装于生产线
适合于清洗片状工件，容易组装于生产线。

可调整输出功率
由于可调整输出功率，象磁头那样容易破裂的工件也可放心地进行清洗。