全新 IRF540N 场效应MOS管

数据列表 IRF540NPbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50 类别分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A
开态Rds（Zui大）@ Id, Vgs @ 25° C 44 毫欧 @ 16A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（Zui大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 71nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1960pF @ 25V
功率 - Zui大 130W
安装类型通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF540NPBF
 

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