磷化铟(InP)晶片

更新时间:2022-10-11 17:05:25 信息编号:16204914 发布者IP:27.154.109.123 浏览:60次
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厦门中芯晶研可提供2",3",4"磷化铟单晶片。

磷化铟(InP)是由铟和磷组成的二元半导体。它具有面心立方(zincblende)晶体结构,与大多数III-V半导体相同。磷化铟用于高功率和高频电子设备,因为它相对于更常见的半导体硅具有优异的电子速度。磷化铟也可用于制造破纪录的假晶异质结双极晶体管,其可以在604GHz下工作。它还具有直接带隙,使其可用于激光二极管等光电器件。


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