供应NANYA/南亚全新原装NT5CC256M16ER-EKDDR3存储芯片DRAM

更新时间:2022-09-21 16:48:43 信息编号:15856143 发布者IP:113.89.186.26 浏览:50次
供应商
深圳市利源芯科技有限公司 商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
3
主体名称:
深圳市利源芯科技有限公司
组织机构代码:
91440300MA5GX32G22
报价
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品牌
NANYA/南亚
关键词
NANYA/南亚全新原装NT5CC256M16ER-EKDDR3存储芯片DRAM
所在地
深圳市福田区华强北街道荔村社区华强北路3012号赛格科技园4栋7层A-D轴与7-14(注册地址)
手机号
13113841289
联系人
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产品详细介绍

基础DDR3兼容


—8n预取架构


-差分时钟(CK/)和数据频闪(DQS/)


- DQs, DQs和DM的双数据率


数据完整性


—采用DRAM内置TS自动刷新ASR (Auto Self Refresh)功能


—自动刷新和自刷新两种方式


*省电模式


-下电模式


CAS延迟(6/7/8/9/10/11/13/14)


CAS写时延(5/6/7/8/9/10)


附加延迟(0/CL-1/CL-2)


写入恢复时间(5/6/7/8/10/12/14/16)


◇爆发型(序贯/交错)


▼爆发长度(BL8/BC4/BC4或8)


可编程功能


自我刷新温度范围(正常/扩展)


输出驱动器阻抗(34/40)


Rtt_Nom模上终止(20/30/40/60/120)


Rtt_WR压模终止(60/120)


【预充电电源下降】(慢/快)


信号完整性


—可配置DS,实现系统兼容性


-可配置模上终止


- ZQ校准DS/ODT阻抗精度通过


外置ZQ垫(240欧姆±1%)


信号同步


—通过MR设置写入“调平


—通过MPR读取找平


*接口和电源


- SSTL_15用于DDR3:VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)


——SSTL_1352


DDR3L: VDD / VDDQ = 1.35 v (-0.067 / + 0.1 v)


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