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MOSFET MOS管 场效应管 分立器件

更新时间:2022-11-19 14:25:40 信息编号:14803198 发布者IP:183.8.70.143 浏览:56次
供应商
芯斐洋电子(深圳)有限公司 商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
2
主体名称:
芯斐洋电子(深圳)有限公司
组织机构代码:
91440300MA5F31BX9X
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品牌
JKF
封装
TO\SOP\SOT
产地
国产
关键词
MOSFET,MOS管,场效应管,分立器件,被动元件,功率器件,芯斐洋电子,IC,集成电路
所在地
深圳市罗湖区笋岗街道笋西社区宝岗路3号汇成洋大厦302
手机号
18926554255
联系人
陈达辉  请说明来自顺企网,优惠更多
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产品详细介绍

芯斐洋电子,继电器,芯片,MOSFET,MOS管,场效应管,分立器件,被动元件,功率器件,IC,集成电路

3415 20V 4A 35毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

3407 30V 4.3A 53毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

3401 30V 4.2A 56毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

2300 20V 5.2A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

3400D 30V 5A 30毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

3400B 30V 5.8A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

3400R 30V 5.8A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

3404 30V 5.8A 24毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

2308 20V 2A 180毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

2310 60V 3A 100毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

4S10 100V 4A 140毫欧 SOT-23 N通道SGT工艺场效应MOS管 

3402 30V 3A 42毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

2320 20V 8A 10毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

3400 30V 5A 30毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

2310S 60V 3A 100毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

5N10 100V 5A 150毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

3415S 20V 4A 35毫欧 SOT-23-3 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

3401S 30V 4.2A 53毫欧 SOT-23-3 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

20N02 20V 20A 6毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

8N03 30V 8A 25毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

9N03 20V 30A 25毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

11N03 30V 11A 10毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

12N03 30V 12A 9毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

18N03 30V 18A 7毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

20N03 30V 20A 6毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

8N04 40V 8A 30毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

6N06 60V 6A 36毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

7N06 60V 7A 30毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

10N06 60V 10A 18毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

4N10 100V 4A 130毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

9P03 30V 9A 25毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

10P03 30V 10A 20毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

11P03 30V 11A 18毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

12P03 30V 12A 14毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

15P03 30V 15A 10毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

7P04 40V 7A 40毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

8S10 100V 8A 20毫欧 SOP-8 P通道SGT工艺场效应MOS管 

9926 20V 6.5A 25毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

10DN02 20V 10A 16毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

11DN02 20V 11A 10毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

6DN03 30V 6A 32毫欧SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

8DN03 30V 8A 23毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

5DN06 60V 5A 36毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

8DN06 60V 8A 18毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管 

4606 30V 7A 24毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管 

4614 40V 6A 40毫欧SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管 

4612 60V 5A 36毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管 

5521 100V 2.2A 120毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管 

8DP03 30V 8A 20毫欧 SOP-8D 双P沟槽工艺场效应MOS管 

30N02 20V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

45N02 20V 45A 8毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

60N02 20V 60A 6毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

90N02 20V 90A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

30N03 30V 30A 22毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

55N03 30V 55A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

60N03 30V 60A 9毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

80N03 30V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

100N03 30V 100A 5毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

120N03 30V 120A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

125N03 30V 125A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

135N03 30V 1350A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

25N04 40V 25A 30毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

60N04 40V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

75N04 40V 75A 6毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

120N04 40V 120A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

30N06 60V 30A 30毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

45N06 60V 45A 20毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

50N06 60V 50A 18毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

12N10 100V 12A 120毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

15N10 100V 15A 100毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

19N10 100V 19A 60毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

30P03 30V 30A 30毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

40P03 40V 30A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

45P03 30V 45A 16毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

50P03 30V 50A 14毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

60P03 30V 60A 10毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

65P03 30V 65A 8毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

23P04 40V 23A 50毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

35P04 40V 35A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

38P04 40V 38A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

45P04 40V 45A 15毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

20P06 60V 20A 68毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

30P06 60V 30A 30毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

12P10 100V 12A 200毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

20P10 100V 20A 90毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管 

135N03 30V 135A 3毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

55N06 60V 55A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

70N06 60V 70A 6毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

130N06 60V 30A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

8N10 100V 8A 140毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

15N10 100V 15A 70毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管 

25N10 100V 25A 25毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

36N10 100V 36A 20毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

55N10 100V 55A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管 

20NP03 30V 20A 12毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管 

40NP03 30V 40A 40毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管 

20NP04 40V 20A 25毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管 

12NP10 100V 12A 120毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管 


相关产品:MOSFET , MOS管 , 场效应管 , 分立器件 , 被动元件 , 功率器件 , 芯斐洋电子 , IC , 集成电路
所属分类:中国电子元件网 / 其他场效应管
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