MOSFET MOS管 场效应管 分立器件
更新时间：2022-11-19 14:25:40 信息编号：14803198 发布者IP：183.8.70.143 浏览：70次
- 供应商
- 芯斐洋电子（深圳）有限公司 商铺
- 认证
- 资质核验：已通过营业执照认证入驻顺企：第3年主体名称：芯斐洋电子（深圳）有限公司组织机构代码：91440300MA5F31BX9X
- 报价
- 请来电询价
- 品牌
- JKF
- 封装
- TO\SOP\SOT
- 产地
- 国产
- 关键词
- MOSFET,MOS管,场效应管,分立器件,被动元件,功率器件,芯斐洋电子,IC,集成电路
- 所在地
- 深圳市罗湖区笋岗街道笋西社区宝岗路3号汇成洋大厦302
- 手机号
- 18926554255
- 联系人
- 陈达辉 请说明来自顺企网，优惠更多
产品详细介绍
3415 20V 4A 35毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管
3407 30V 4.3A 53毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管
3401 30V 4.2A 56毫欧 SOT-23 P通道沟槽工艺场效应MOS管
2300 20V 5.2A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
3400D 30V 5A 30毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
3400B 30V 5.8A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
3400R 30V 5.8A 25毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
3404 30V 5.8A 24毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
2308 20V 2A 180毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
2310 60V 3A 100毫欧 SOT-23 N通道沟槽工艺场效应MOS管
4S10 100V 4A 140毫欧 SOT-23 N通道SGT工艺场效应MOS管
3402 30V 3A 42毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管
2320 20V 8A 10毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管
3400 30V 5A 30毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管
2310S 60V 3A 100毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管
5N10 100V 5A 150毫欧 SOT-23-3 N通道沟槽工艺场效应MOS管
3415S 20V 4A 35毫欧 SOT-23-3 P通道沟槽工艺场效应MOS管
3401S 30V 4.2A 53毫欧 SOT-23-3 P通道沟槽工艺场效应MOS管
20N02 20V 20A 6毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
8N03 30V 8A 25毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
9N03 20V 30A 25毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
11N03 30V 11A 10毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
12N03 30V 12A 9毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
18N03 30V 18A 7毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
20N03 30V 20A 6毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
8N04 40V 8A 30毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
6N06 60V 6A 36毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
7N06 60V 7A 30毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
10N06 60V 10A 18毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
4N10 100V 4A 130毫欧 SOP-8 N通道沟槽工艺场效应MOS管
9P03 30V 9A 25毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管
10P03 30V 10A 20毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管
11P03 30V 11A 18毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管
12P03 30V 12A 14毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管
15P03 30V 15A 10毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管
7P04 40V 7A 40毫欧 SOP-8 P通道沟槽工艺场效应MOS管
8S10 100V 8A 20毫欧 SOP-8 P通道SGT工艺场效应MOS管
9926 20V 6.5A 25毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
10DN02 20V 10A 16毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
11DN02 20V 11A 10毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
6DN03 30V 6A 32毫欧SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
8DN03 30V 8A 23毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
5DN06 60V 5A 36毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
8DN06 60V 8A 18毫欧 SOP-8D 双N沟槽工艺场效应MOS管
4606 30V 7A 24毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管
4614 40V 6A 40毫欧SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管
4612 60V 5A 36毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管
5521 100V 2.2A 120毫欧 SOP-8D N+P沟槽工艺场效应MOS管
8DP03 30V 8A 20毫欧 SOP-8D 双P沟槽工艺场效应MOS管
30N02 20V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
45N02 20V 45A 8毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
60N02 20V 60A 6毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
90N02 20V 90A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
30N03 30V 30A 22毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
55N03 30V 55A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
60N03 30V 60A 9毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
80N03 30V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
100N03 30V 100A 5毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
120N03 30V 120A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
125N03 30V 125A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
135N03 30V 1350A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
25N04 40V 25A 30毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
60N04 40V 30A 10毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
75N04 40V 75A 6毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
120N04 40V 120A 4毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
30N06 60V 30A 30毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
45N06 60V 45A 20毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
50N06 60V 50A 18毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
12N10 100V 12A 120毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
15N10 100V 15A 100毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
19N10 100V 19A 60毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
30P03 30V 30A 30毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
40P03 40V 30A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
45P03 30V 45A 16毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
50P03 30V 50A 14毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
60P03 30V 60A 10毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
65P03 30V 65A 8毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
23P04 40V 23A 50毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
35P04 40V 35A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
38P04 40V 38A 20毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
45P04 40V 45A 15毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
20P06 60V 20A 68毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
30P06 60V 30A 30毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
12P10 100V 12A 200毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
20P10 100V 20A 90毫欧 TO-252 P通道沟槽工艺场效应MOS管
135N03 30V 135A 3毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
55N06 60V 55A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
70N06 60V 70A 6毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
130N06 60V 30A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
8N10 100V 8A 140毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
15N10 100V 15A 70毫欧 TO-252 N通道沟槽工艺场效应MOS管
25N10 100V 25A 25毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
36N10 100V 36A 20毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
55N10 100V 55A 10毫欧 TO-252 N通道SGT工艺场效应MOS管
20NP03 30V 20A 12毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管
40NP03 30V 40A 40毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管
20NP04 40V 20A 25毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管
12NP10 100V 12A 120毫欧 TO-252-4 N+P沟槽工艺场效应MOS管
- 芯斐洋电子|科普一下继电器闭合的类型小型电磁继电器市面上常用类型有：常开型、常闭型、转换型这三大类。产品研发工程师会根据产品的功能来选择...
- TI德州仪器简单介绍德州仪器(TI)是最大的模拟和嵌入式处理芯片制造商，产品涉及从家用电器到军事和太空硬件的方方面面。它...
TPD1E05U06DPYR TI德州仪器 静电放电芯片品牌：TI 德州仪器- ADP2301AUJZ-R7 ADI直流-直流开关降压(逐步递减)稳压器品牌：ADI 亚德诺 电源芯片
- AD8603AUJZ-REEL7 ADI 亚德诺芯片 射频低噪声放大器17.00元/片
品牌：ADI 亚德诺 - ALDP105 Panasonic 松下功率继电器2.50元/PCS
种类：：功率继电器 - OP1177ARZ-REEL7 ADI精密运算放大器种类：：精密放大器
- ADXL335BCPZ-RL7 ADI亚德诺加速表IC品牌：ADI亚德诺
- CDCLVC1103PWR TI德州仪器时钟缓冲器驱动器锁相环品牌：TI德州仪器
- TPS562208DDCR TI德州仪器DC/DC转换器品牌：TI德州仪器
- AD8032ARZ-REEL7 ADI亚德诺运算放大器品牌：ADI（亚德诺）
- ADXL345BCCZ-RL7 ADI亚德诺加速度传感器品牌：ADI（亚德诺）