拆机场效应管IRF630/IRF640n/IRF730/IRF740 IFR540

品牌	IR美国国际整流器公司	型号	IRF630 IRF630N IRF630A IRF630B
种类	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	CHIP/小型片状	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	4（V）	夹断电压	900（V）
跨导	vgs（μS）	极间电容	.（pF）
低频噪声系数	0.25（dB）	Zui大漏极电流	9.3a（mA）
Zui大耗散功率	82w（mW）

长期现货供应整流桥堆，三极管等各种电源应用。

晶体管极性:ñ频道 电流, id 连续:9a 电压, vds Zui大:200v 在电阻rds（上）:300mohm 电压 @ rds测量:10v 阈值电压, vgs th 典型值:4v 封装类型:to-220ab 针脚数:3 svhc(高度关注物质):no svhc (15-dec-2010) 功率, pd:82w 功耗:82w 封装类型:to-220ab 晶体管类型: 漏极电流, id Zui大值:9.3a 热阻, 结至外壳 a:1.83°c/w 电压 vgs @ rds on 测量:10v 电压, vds 典型值:200v 电压, vgs Zui高:4v 电流, idm 脉冲:37a 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, vgs th Zui高:4v