产品详细介绍
| 品牌 | HIT日本日立 | 型号 | RJP30E2 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | -（V） | 夹断电压 | -（V） |
| 极间电容 | -（pF） | 低频噪声系数 | -（dB） |
| Zui大漏极电流 | -（mA） | Zui大耗散功率 | -（mW） |
我店主要经营:各二,三极管(场效应、fet、igbt、高压、低压、达林顿、整流、快速、肖特、三端、可控硅等)及排桥,光耦,集成电路,高频管,模块等..诚信为本,共同互利,共谋发展..真诚为大家服务,希望各位来电咨询及采购.(型号众多,不能一一上传,有需要联系我).
朱小姐/蔡先生
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