产品类型 | 肖特基管 | 品牌 | TSC台湾半导体 |
型号 | BIN5817W | 结构 | 扩散型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 其他 |
LED封装 | 无色透明封装(T) | 出光面特征 | 矩形 |
发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 40(mA) |
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上海先俊电子 | ds001cb1 | ||||||||||||
schottky diode | |||||||||||||
technical data | single anode | ||||||||||||
芯片示意图 | 芯片尺寸(mm×mm) | 0.71×0.71(28mil) | |||||||||||
描述 | bitmap bitmap bitmap bitmap
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芯片厚度(um) | 280±10 | ||||||||||
对应成品名 1n5819/sr140 | 键合区面积(um2) | 0.60×0.60 | |||||||||||
划片线宽度(um) | 60×60 | ||||||||||||
正面电极金属 | ag | ||||||||||||
背面电极金属 | ag | ||||||||||||
硅片直径(mm) | φ100 | ||||||||||||
电特性 | |||||||||||||
1.极限值(ta=25℃) | |||||||||||||
参数名称 | 额定值 | 单位 | 备注 | ||||||||||
峰值反向电压 | vrrm | 40 | v | ||||||||||
工作峰值电压 | vrwm | 40 | v | ||||||||||
反向电压(dc) | vr | 40 | v | ||||||||||
平均整流输出电流 | io | 1 | a | ||||||||||
峰值正向浪涌电流 | ifsm | 25 | a | ||||||||||
工作结温 | tj | 125 | ℃ | ||||||||||
储存温度 | tstg | - 65~+ 125 | ℃ | ||||||||||
2.电参数(ta=25℃) | |||||||||||||
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | |||||||||
min. | typ. | max. | |||||||||||
反向击穿电压 | vbr | ir=100ua | 45 | v | |||||||||
正向电压 | vf | if=1.0a | 0.53 | v | |||||||||
反向电流 | ir | vr=45v | 100 | ua |