产品详细介绍
| 品牌 | FCH美国范恰得 | 型号 | FQA10N80 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MAP/匹配对管 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 800（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | Zui大漏极电流 | 10（mA） |
| Zui大耗散功率 | 180（mW） |
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