原生多晶硅料纯度在7n以上

规格(尺寸)(mm)

156

少子寿命(us)

≧2

导电类型

p型

直角偏离：

90°±5°

掺杂

硼（boron）

碳含量(atoms/cm2)

<1×1018

电阻率范围（欧母·厘米)

1-3ω.cm

氧含量(atoms/cm2)

<8×1017

微晶(个/cm2)

< 10

线痕(um)

≦40

倒角

0.9～2.1 mm 45°±2°

表面刀痕(um)

< 30

倒角边长(mm)

0.5-2.0

翘曲度(um)

≦70

对角长(mm)

219.21±0.5

崩边

长≦1(mm),深≦0.5(mm),每片崩边不超过3 个，不允许崩穿。

厚度(um)

200±30

有应力、线痕、硅落、花片、崩边等。

ttv(um)

<单片厚度的15％（40µm）

其他未明事宜参照行业标准