单晶炉用高温高纯石墨毡 半导体

聚炳烯腈基石墨毡是优质聚炳烯腈基炭毡经特殊高温石墨化处理后获得的，具有质轻、抗性好、炭含量高、耐高温、高温无挥发、耐腐蚀、导热系数小的性能，并有高度的形状保持性，广泛应用于高温真空电阻炉，真空烧结炉，特别适用于半导体、单晶硅等特种材料制备炉的优良保温、隔热、密封材料，也是抗腐蚀的过滤材料。

石墨毡主要技术规格及技术指标：

石墨化处理温度：2000℃以上

含炭量：≥98.2%

体积密度(g/cm³) : 0.08-0.14抗拉强度(mpa): 0.10-0.25

导热系数(w/m.k)：0.07-0.12 电阻系数(ohm.cm): 0.14-0.18

灰 份(%) :≤0.52-0.98 厚度：3mm - 13mm

宽度:1.2米以下 适用温度范围 (℃):1650-3600

石墨毡密度:1300-1350g/平方米