品牌 | STI美国半导体技术 | 型号 | 各种 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 3-4(V) | 夹断电压 | 1.5(V) |
跨导 | 标准(μS) | 极间电容 | 标准(pF) |
低频噪声系数 | 标准(dB) | Zui大漏极电流 | 标准(mA) |
Zui大耗散功率 | 标准(mW) |
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