MOS场效应管参数测试仪
信息编号:544428 浏览:685次产品详细介绍
类型 | MOS场效应管测试仪 | 品牌 | 北京无线电仪器厂 |
型号 | BJ2990型 | 测量范围 | 0-750 |
本仪器可对n沟道及p沟道大功率mos场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10a电流时的gm及rds(on))等晶体管图示仪无法检测的参数时,采用了国际电工委员会(iec)所规定的脉冲法进行测量,有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。
技术指标:
(1)栅源截止电压vgs(off):0~±12v
(2)栅源阈值电压vgs(th):0~±12v
(3)漏源短路时的栅源击穿电压v(br)gss:0~±1000v
(4)漏源击穿电压v(br)ds:0~±1000v
(5)漏源短路时的栅极截止电流igss:1μa~100ma
(6)零栅压时的漏极电流idss:1μa~100ma
(7)静态漏源通态电阻rds
(on)):0~1kω(vds/id)
(8)低频跨导gm:1ms~100s
(vds=12v,id=0~10a脉冲测试)
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