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高压MOS管8N60C*YJ8N60

更新时间:2015-01-21 16:16:19 信息编号:3239425 发布者IP:183.12.49.7 浏览:181次
供应商
深圳市扬晶微电子有限公司 商铺
认证
报价
人民币¥1.10元每PCS
品牌
扬晶
型号
YJ8N60C
电流8A
耐压600V
关键词
MOS管8N60C*扬晶YJ8N60C*N沟道增强型高压功率MOS
所在地
深圳市龙华新区大浪街道和平路368号龙胜商业大厦4层K区
联系电话
0755-28108558
手机号
18948333261
销售工程
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产品详细介绍

型号:yj8n60c 封装:to-220f

描述

yj8n60c为n沟道增强型高压功率mos
场效应管。该产品可广泛适用于ac-dc开关电
源,dc-dc电源转换器,高压h桥pmw马达驱动。
★ 8a,600v,rds(on)(典型值)0.8ω

★ 低电荷、低反向传输电容
★ 开关速度快

极限值(tc=25℃)

参数名称 符号 数值 单位
漏极—源极电压 vdss 600 v
漏极电流 tc=25℃ id 8 a
栅源电压 vgs ±30 v
耗散功率 tc=25℃ pd 52 w
结温 tj 150 ℃
储存温度 tstg -55~150 ℃

特性参数值(tc=25℃)

参数说明 符号 测试条件 Zui小值典型值Zui大值单位
漏源反向电压 bvdssvgs=0v,id=250μa 600 — — — — v
漏源截止电流 idssvds=600v, vgs=0v — — — — 1.0 μa
栅源截止电流 igss vgs= ±30v. vds=0v — — — — ±100 na
通态电阻 rds(on) vgs=10v,id=3.5a — — 0.81.2 ω
栅-源极开启电压 vgs(th) vds=vgs, id = 250μa 2.0 — — 4.0 v
源漏二极管正向
导通电压 vfsd is=7a,vgs=0v — — — — 1.4v

 

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所属分类:中国电子元件网 / 增强型MOS管(N沟道)
本页链接:http://product.11467.com/info/3239425.htm
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