高压MOS管8N60C*YJ8N60
更新时间:2015-01-21 16:16:19 信息编号:3239425 发布者IP:183.12.49.7 浏览:181次- 供应商
- 深圳市扬晶微电子有限公司 商铺
- 认证
- 报价
- 人民币¥1.10元每PCS
- 品牌
- 扬晶
- 型号
- YJ8N60C
- 电流8A
- 耐压600V
- 关键词
- MOS管8N60C*扬晶YJ8N60C*N沟道增强型高压功率MOS
- 所在地
- 深圳市龙华新区大浪街道和平路368号龙胜商业大厦4层K区
- 联系电话
- 0755-28108558
- 手机号
- 18948333261
- 销售工程
- 黄辅涛 请说明来自顺企网,优惠更多
产品详细介绍
型号:yj8n60c 封装:to-220f
描述
yj8n60c为n沟道增强型高压功率mos
场效应管。该产品可广泛适用于ac-dc开关电
源,dc-dc电源转换器,高压h桥pmw马达驱动。
★ 8a,600v,rds(on)(典型值)0.8ω
★ 低电荷、低反向传输电容
★ 开关速度快
极限值(tc=25℃)
参数名称 符号 数值 单位
漏极—源极电压 vdss 600 v
漏极电流 tc=25℃ id 8 a
栅源电压 vgs ±30 v
耗散功率 tc=25℃ pd 52 w
结温 tj 150 ℃
储存温度 tstg -55~150 ℃
特性参数值(tc=25℃)
参数说明 符号 测试条件 Zui小值典型值Zui大值单位
漏源反向电压 bvdssvgs=0v,id=250μa 600 — — — — v
漏源截止电流 idssvds=600v, vgs=0v — — — — 1.0 μa
栅源截止电流 igss vgs= ±30v. vds=0v — — — — ±100 na
通态电阻 rds(on) vgs=10v,id=3.5a — — 0.81.2 ω
栅-源极开启电压 vgs(th) vds=vgs, id = 250μa 2.0 — — 4.0 v
源漏二极管正向
导通电压 vfsd is=7a,vgs=0v — — — — 1.4v
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